定位:並非你死我活據英特爾給出的說法是,3D XPoint並不是用於徹底替代DRAM和NAND的技術,它的定位是計算機儲存中的一個新的層級,可以在不同的應用領域增強目前的儲存結構體系...
繼承東芝儲存衣缽:鎧俠快閃記憶體和固態硬碟發展全新的鎧俠儲存卡色彩鮮明、時尚簡約,透過外包裝可以直接獲得推薦應用場景和裝置搭配資訊...
應該是假的,紫光自己也出來闢謠了,DDR4是新一代記憶體規格,11年三星電子宣佈完成世界第一款DDR4記憶體條開發,DDr4記憶體速度是ddr3的二倍,對工藝要求較高,而且良品率極低,雖然紫光集團今年投資了2000億在南京建設半導體產業,但...
紫光推出的 U 盤產品象徵“中國儲存芯正式誕生,打破國記憶體儲晶片零自制局面”的“雙芯齊發”深刻意涵,而從晶片研發生產,到終端以自有品牌進行銷售的完整流程建立,也將是國記憶體儲市場從自主技術開發成功,到商用落地和品牌建立的重大進展...
與三星 (V-NAND)、美光 (CTF CuA) 和 SK海力士(4D PUC) 的現有128層512 Gb 3D TLC NAND 晶片的die尺寸相比,長江儲存512Gb 128層Xtacking 2...
來自去年的市場份額統計,僅供參考由於Intel把NAND快閃記憶體及相關SSD業務出售給SK Hynix(海力士),後者的市場佔有率達到20%以上,僅次於排名第一的三星...
(下圖非本文內容,BL-BLWL-WL)All-bit line (ABL) architecture, all cells in a WL are programmed at the same timeShielded-bit line(...
不過近日紫光在深圳第七屆中國電子資訊博覽會(CITE2019)上推出的企業級P8260固態硬碟卻讓我們看到了希望,它使用的是長江儲存的32層堆疊3D NAND快閃記憶體(64層堆疊的3D NAND快閃記憶體量產據說要到年底)、紫光得瑞的SS...
如下圖所示MLC的三種Program狀態:(3) Cell-to-Cell的靜電干擾:為了保證4*F^2的Cell單元面積,平面Nand減少的特徵尺寸F不僅導致Floating Gate電晶體的寬度W和長度L的減小,也會減小儲存陣列的間距...
Sagar, “Top-down delayering by low energy, broad-beam, argon ion milling — A solution for microelectronic device process...
CPU是AMD的第三代Ryzen:8核 7nm Zen2架構GPU是基於Radeon Navi定製版,並將支援光線追蹤技術The AMD chip also includes a custom unit for 3D audio that ...