RF-Id的對接構象總結結合實驗和分子對接,研究者發現RF-Id對5-LOX具有良好的活性,且其並非透過抑制cPLA2、競爭結合FLAP、干擾鐵離子還原、螯合鐵離子來實現,而可能是透過插入5-LOX的活性位點中的疏水通道(為競爭型抑制劑),...
[3]在初始窯燒階段,一定溫度內LOX活性會繼續上升,導致新的E2N和NP的積累...