與普通二極體(多指用PN接面形成的矽二極體)相比最顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒),正向導通壓降更低,僅0...
雖然微觀上的量子隧道效應可以幫助粒子穿過能壘,實現“穿牆而過”,但是宏觀上卻並沒有這種效應...
另一種方式是透過重摻雜的方式,使形成的勢壘寬度很窄,這樣電子可以不用躍過勢壘而直接透過隧穿流過接觸面,正向偏壓、負向偏壓與VI特性(黑色曲線)如下圖:P型半導體與金屬的接觸面的分析思路與N型半導體類似,只是載流子由電子變為空穴...
半導體的表面態對形成肖特基勢壘影響很大,所以半導體具有高表面態易與金屬接觸形成肖特基勢壘,這是形成肖特基勢壘的最主要的原因,稱作高表面態的釘扎...
人類目前只能利用鐳射或者裂變的原子彈產生的高溫為氫的同位素發生聚變提供條件,氘與氚是聚變的最佳燃料,由於中子與質子比相對較高,它們的勢壘也就較小,例如氚核的中子與質子比是穩定原子核中最高的...