德銳07156608888882021-11-15 20:16:49

記憶體時序（英語：Memory timings或RAM timings）是描述同步動態隨機存取儲存器（SDRAM）效能的四個引數：CL、TRCD、TRP和TRAS，單位為時鐘週期。它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數字，例如7-8-8-24。第四個引數（RAS）經常被省略，而有時還會加入第五個引數：Command rate（命令速率），通常為2T或1T，也寫作2N、1N。這些引數指定了影響隨機存取儲存器速度的潛伏時間（延遲時間）。較低的數字通常意味著更快的效能。決定系統性能的最終元素是實際的延遲時間，通常以納秒為單位。