匿名使用者 1級 2013-05-14 回答

IR，Ir 是 紅外線的意思 IR是電子元器件的一大品牌 Ir金屬元素銥

常用說法是Ir 介面 全稱是：infrared也就是 紅外線介面。

同時也是國家程式碼。IR，伊朗 就好比 中國是CN，美國是US（united states）常用就這兩種

CCD，是英文Charge Coupled Device 即電荷耦合器件的縮寫，它是一種特殊半導體器件，上面有很多一樣的感光元件，每個感光元件叫一個畫素。CCD在攝像機裡是一個極其重要的部件，它起到將光線轉換成電訊號的作用，類似於人的眼睛，因此其效能的好壞將直接影響到攝像機的效能。

CMOS（本意是指互補金氧半導體——一種大規模應用於積體電路晶片製造的原料）是微機主機板上的一塊可讀寫的RAM芯 片，用來儲存當前系統的硬體配置和使用者對某些引數的設定。CMOS可由主機板的電池供電，即使系統掉電，資訊也不會丟失。

笑看天下 1級 2013-05-15 回答

技術的角度比較，ccd與cmos有如下四個方面的不同：

1。資訊讀取方式

ccd電荷耦合器儲存的電荷資訊，需在同步訊號控制下一位一位地實施轉移後讀取，電荷資訊轉移和讀取輸出需要有時鐘控制電路和三組不同的電源相配合，整個電路較為複雜。cmos光電感測器經光電轉換後直接產生電流（或電壓）訊號，訊號讀取十分簡單。

2。速度

ccd電荷耦合器需在同步時鐘的控制下，以行為單位一位一位地輸出資訊，速度較慢；而cmos光電感測器採集光訊號的同時就可以取出電訊號，還能同時處理各單元的影象資訊，速度比ccd電荷耦合器快很多。

3。電源及耗電量

ccd電荷耦合器大多需要三組電源供電，耗電量較大；cmos光電感測器只需使用一個電源，耗電量非常小，僅為ccd電荷耦合器的1/8到1/10，cmos光電感測器在節能方面具有很大優勢。

4。成像質量

ccd電荷耦合器製作技術起步早，技術成熟，採用pn結或二氧化矽（sio2）隔離層隔離噪聲，成像質量相對cmos光電感測器有一定優勢。由於cmos光電感測器整合度高，各光電感測元件、電路之間距離很近，相互之間的光、電、磁干擾較嚴重，噪聲對影象質量影響很大，使cmos光電感測器很長一段時間無法進入實用。近年，隨著cmos電路消噪技術的不斷髮展，為生產高密度優質的cmos影象感測器提供了良好的條件。

此外，ccd與cmos兩種感測器在“內部結構”和“外部結構”上都是不同的：

1。內部結構（感測器本身的結構）

ccd的成像點為x－y縱橫矩陣排列，每個成像點由一個光電二極體和其控制的一個鄰近電荷儲存區組成。光電二極體將光線（光量子）轉換為電荷（電子），聚集的電子數量與光線的強度成正比。在讀取這些電荷時，各行資料被移動到垂直電荷傳輸方向的快取器中。每行的電荷資訊被連續讀出，再透過電荷/電壓轉換器和放大器感測。這種構造產生的影象具有低噪音、高效能的特點。但是生產ccd需採用時鐘訊號、偏壓技術，因此整個構造複雜，增大了耗電量，也增加了成本。

cmos感測器周圍的電子器件，如數字邏輯電路、時鐘驅動器以及模/數轉換器等，可在同一加工程式中得以整合。cmos感測器的構造如同一個儲存器，每個成像點包含一個光電二極體、一個電荷/電壓轉換單元、一個重新設定和選擇電晶體，以及一個放大器，覆蓋在整個感測器上的是金屬互連器（計時應用和讀取訊號）以及縱向排列的輸出訊號互連器，它可以透過簡單的x－y定址技術讀取訊號。

2。外部結構（感測器在產品上的應用結構）

ccd電荷耦合器需在同步時鐘的控制下，以行為單位一位一位地輸出資訊，速度較慢；而cmos光電感測器採集光訊號的同時就可以取出電訊號，還能同時處理各單元的影象資訊，速度比ccd電荷耦合器快很多。

cmos光電感測器的加工採用半導體廠家生產積體電路的流程，可以將數字相機的所有部件整合到一塊晶片上，如光敏元件、影象訊號放大器、訊號讀取電路、模數轉換器、影象訊號處理器及控制器等，都可整合到一塊晶片上，還具有附加dram的優點。只需要一個晶片就可以實現很多功能，因此採用cmos晶片的光電影象轉換系統的整體成本很低。