大白2021-09-28 20:00:21

碳化矽（SiC）材料是功率半導體行業主要進步發展方向，用於製作功率器件，可顯著提高電能利用率。碳化矽（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體產業的基石是晶片，製作晶片的核心材料按照歷史程序分為：第一代半導體材料（大部分為目前廣泛使用的高純度矽），第二代化合物半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導體材料（碳化矽、氮化鎵） 。碳化矽因其優越的物理效能：高禁頻寬度（對應高擊穿電場和高功率密度）、高電導率、高熱導率，將是未來最被廣泛使用的製作半導體晶片的基礎材料。

藍天白雲460542021-10-05 19:30:53

SiC材料的能帶和高溫穩定性使得它在高溫半導體元件方面有無可比擬的優勢。採用SiC材料製成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作溫度可達500℃以上，提供工作於極端環境下的電子系統，在軍用武器系統、航空航太、石油地質勘探等領域應用廣泛。